尼康紫外线灯13KW电源

光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：**的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，**光刻机号称世界上**精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。极紫外光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的半导体光刻机）和日本Canon三大品牌为主。我们的紫外线灯符合国际标准，通过了CE、RoHS等认证，保证产品质量和安全性.尼康紫外线灯13KW电源

曝光机设备上配置椭圆镜，镜面有做涂层处理。椭圆镜作用是协助光源发出的紫外线波长(365nm，405nm，436nm)无法穿过椭圆镜的镜面，紫外线光反射回来，500nm以上的红外线透过椭圆镜的镜面，释放掉热量。灯箱内常时通入氮气，吹向冷却紫外线灯及椭圆镜，降低灯箱内氛围温度，通过常时排气，带着多余热量，是高压汞灯稳定工作。佳能面向FPD工厂的曝光机，设备型号：MPAsp-E813，MPAsp-H803，MPAsp-H763，内部标配椭圆镜，型号：Y60-5340-000。清洗UV灯紫外线灯CR0200UCNSR-2205iL1 将提供高生产率，通过使用高精度晶圆测量、晶圆平台调平和宽 DOF来优化半导体制造工艺的良率。

光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。生产集成电路的简要步骤：利用模版去除晶圆表面的保护膜。将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：模版和晶圆大小一样，模版不动。模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流。

弊社が作っている超高圧UVランプは、主に半導体や液晶、プリント基板などのリソグラフィ（回路パターン焼付け）用光源として、各種の露光装置に搭載されています。用途として半導体回路形成用光源、液晶パターン形成用光源、カラーフィルターパターン形成用光源、プリント基板回路形成用光源、MEMSパターン形成用光源、蛍光顕微鏡用光源、紫外線硬化用光源、その他新規露光用途など数多くに使われています。製品の型式について営業担当者までお問い合わせてください。 i线步进式光刻机NSR-2005i10用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2001A-1。

制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜的视场，许多光刻机，采用了LED照明。对准系统共有两套，具备调焦功能。主要就是由双目双视场对准显微镜主体、目镜和物镜各1对（光刻机通常会提供不同放大倍率的目镜和物镜供用户组合使用）。CCD对准系统作用是将掩模和样片的对准标记放大并成像于监视器上。工件台顾名思义就是放工件的平台，光刻工艺主要的工件就是掩模和基片。型号：Nikon NSR-I12 ，应用于生产线，是6英寸，8英寸 i线光刻胶的曝光，曝光精度准，解析力可达350NM。光照度计紫外线灯UV-SN35

i线步进式光刻机NSR-2205i11 SHRINC3,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2002A-1。尼康紫外线灯13KW电源

强紫外线高压汞灯由石英管材制造而成，使紫外线能高程度及大量的穿透，其弧长度/发光长度可由5厘米至300厘米不等，常见功率为每厘米30W至200W，超大功率UV灯一般在每厘米200W或以上操作，该灯光谱有效范围在350-450nm之间，主波峰为365nm，功率由100w-25kw. UV固化在英文中称UV Curing 或 UV Coating，UV固化是光化学反应，即液态的UV照射可固化材料经印刷或涂布到承印物或工件表面，经UV光线照射实现硬化的过程，UV固化与传统的干燥过程相似，但原理不同，传统的干燥一般借助于涂敷材料中溶剂的挥发而形成硬化，而UV固化交联则无溶剂挥发。尼康紫外线灯13KW电源